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DMNH4006SK3Q-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:140A
- 描述
- 该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，适用于发动机管理系统、车身控制电子设备和DC-DC转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMNH4006SK3Q-13
- 商品编号
- C6021865
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.526克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 282pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低栅极电荷(Qg),可将开关损耗降至最低
- 低导通电阻RDS(ON),可将导通状态损耗降至最低
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备PPAP能力
应用领域
-发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器