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DMN6075SQ-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.5A
- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：DC-DC转换器、电源管理功能、背光照明。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN6075SQ-13
- 商品编号
- C6021857
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,2.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 606pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24.6pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32.6pF |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 20000 个)个
起订量：20000 个10000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单