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DMN6075SQ-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.5A
- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：DC-DC转换器、电源管理功能、背光照明。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN6075SQ-13
- 商品编号
- C6021857
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 606pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32.6pF |
商品特性
- N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用,符合AEC - Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF16949:2016认证的工厂生产
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能-背光照明