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ZXMN7A11GQTA实物图
  • ZXMN7A11GQTA商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXMN7A11GQTA

1个N沟道 耐压:70V 电流:2.7A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXMN7A11GQTA
商品编号
C6018030
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.212克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)70V
连续漏极电流(Id)3.8A
导通电阻(RDS(on))130mΩ@10V,4.4A
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)7.4nC@10V
输入电容(Ciss)298pF@50V
反向传输电容(Crss)21pF@50V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,并提供生产件批准程序(PPAP)支持。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 低阈值
  • 低栅极驱动
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用;符合AEC-Q101标准,可提供PPAP文件,且在通过IATF 16949认证的工厂生产

应用领域

  • 无刷直流(BLDC)电机
  • 直流-直流(DC-DC)转换器
  • 负载开关

数据手册PDF