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ZXMN7A11GQTA
1个N沟道 耐压:70V 电流:2.7A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN7A11GQTA
- 商品编号
- C6018030
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 298pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，并提供生产件批准程序（PPAP）支持。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低阈值
- 低栅极驱动
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制-D类音频输出级