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NTS4101PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.37A
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- 描述
- P 沟道,-20V,-1.37A,-83mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTS4101PT1G
- 商品编号
- C68182
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 83mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 329mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 带 -20 V 先导沟槽,实现低导通电阻 RDS(on)
- 额定电压 -2.5 V,适用于低电压栅极驱动
- 采用 SC-70 表面贴装封装,占位面积小(2×2 mm)
- 提供无铅封装
应用领域
-高端负载开关-充电电路-单节电池应用,如手机、数码相机、个人数字助理(PDA)