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NDP6020P

1个P沟道耐压:20V 电流:24A

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描述: P沟 20V 24A
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NDP6020P
商品编号: C68561
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.16克(g)

商品参数

商品概述

这些逻辑电平P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制以及其他需要快速开关、低线路功率损耗和抗瞬态干扰的电池供电电路。

商品特性

在VGS = -2.7 V时，RDS(ON) = 0.07 Ω
在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 0.075 Ω
-24 A、-20 V，在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 0.05 Ω
规定了高温下的关键直流电气参数
坚固的内部源漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器
最高结温额定值为175°C
高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
提供TO - 220和TO - 263 (D²PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用

应用领域

汽车-DC/DC转换器-PWM电机控制-其他电池供电电路

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	24A
	导通电阻(RDS(on))	50mΩ@4.5V,12A
	耗散功率(Pd)	60W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	700mV
	栅极电荷量(Qg)	35nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.59nF@10V
	反向传输电容(Crss)	215pF
	工作温度	-65℃~+175℃