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2N7002ET1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
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- 描述
- N 沟道 MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5 Ω 沟槽，N 沟道， SOT23
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N7002ET1G
- 商品编号
- C71533
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V,50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 810pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：260mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 欧姆 @ 240mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.81nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：26.7pF @ 25V
功率 - 最大值：300mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：260mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 欧姆 @ 240mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.81nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：26.7pF @ 25V
功率 - 最大值：300mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
优惠活动
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