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2N7002ET1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
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- 描述
- N 沟道 MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5 Ω 沟槽，N 沟道， SOT23
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N7002ET1G
- 商品编号
- C71533
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 810pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款FDmesh™ II功率MOSFET具有本征快速恢复体二极管，采用第二代MDmesh™技术制造。该创新型器件采用新型条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能，非常适合用于桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 低 RDS(on)
- 小尺寸表面贴装封装
- 沟槽技术
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
-低端负载开关-电平转换电路-DC-DC 转换器-便携式应用,如数码相机、个人数字助理、手机等