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FDC637BNZ
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.2A
- 描述
- 此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。这些器件具有出色的功率耗散，与较大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比，占位非常小。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC637BNZ
- 商品编号
- C68302
- 商品封装
- SSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 895pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、ID = 6.2 A时,最大rDS(on) = 24 m Ω
- 在VGS = 2.5 V、ID = 5.2 A时,最大rDS(on) = 32 m Ω
- 开关速度快
- 栅极电荷低(典型值为8nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
- SuperSOT - 6封装:占位面积小(比标准SO - 8小72%);厚度薄(1mm)
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级典型值>2kV
- 采用环保封装材料制造
- 无卤
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换-负载开关-电池保护