FDC637BNZ

这款N沟道2.5V规格的MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造,该工艺经过特别优化,可在降低导通电阻的同时保持较低的栅极电荷,以实现卓越的开关性能。 与更大的SO - 8和TSSOP - 8封装相比,这些器件在极小的占位面积内实现了出色的功率耗散。

• 在VGS = 4.5 V、ID = 6.2 A时,最大rDS(on) = 24 m Ω
• 在VGS = 2.5 V、ID = 5.2 A时,最大rDS(on) = 32 m Ω
• 开关速度快
• 栅极电荷低(典型值为8nC)
• 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
• SuperSOT - 6封装:占位面积小(比标准SO - 8小72%);厚度薄(1mm)
• 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级典型值>2kV
• 采用环保封装材料制造
• 无卤
• 符合RoHS标准

-直流-直流转换-负载开关-电池保护