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IRF7351TRPBF
2个N沟道 耐压:60V 电流:8A
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- 描述
- 双N沟道,60V,8A,17.8mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7351TRPBF
- 商品编号
- C68403
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超低栅极阻抗
- 雪崩电压和电流全特性表征
- 最大栅极额定电压 VGS 为 20V
应用领域
- 用于隔离式 DC-DC 转换器的同步整流 MOSFET
- 低功率电机驱动系统