温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF7389TRPBF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:5.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N+P沟道,(30V/-30V),(7.3A/-5.3A)
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7389TRPBF
- 商品编号
- C71478
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
-超低导通电阻-互补半桥-表面贴装-全雪崩额定-无铅