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AO4614BL
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4614BL
- 商品编号
- C68416
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 516pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |