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IPB042N10N3G实物图
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IPB042N10N3G

1个N沟道 耐压:100V 电流:137A

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描述
特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准,无卤
商品型号
IPB042N10N3G
商品编号
C69300
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
2.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)137A
导通电阻(RDS(on))4.2mΩ@10V,100A
耗散功率(Pd)214W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)117nC
输入电容(Ciss)8.41nF@50V
反向传输电容(Crss)41pF@50V
工作温度-55℃~+175℃

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