IPB042N10N3G
1个N沟道 耐压:100V 电流:137A
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- 描述
- 特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准,无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB042N10N3G
- 商品编号
- C69300
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 137A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 117nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.41nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
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