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SI4435DYTRPBF
1个P沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- P沟道,-30V,-8A,20mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SI4435DYTRPBF
- 商品编号
- C67287
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于电池和负载管理应用。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
- 超低导通电阻
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 无铅