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IPB083N10N3G
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A 停产
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB083N10N3G
- 商品编号
- C69299
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V,73A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.98nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道，常电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175 °C
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 非常适合高频开关和同步整流
- 按照IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品