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SI2309DS-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:3.8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电路保护、低功耗应用、传感器接口和医疗电子等领域。SOT23；P—Channel沟道,-60V；-5.2A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2309DS-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C5878834
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028416克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 直流-直流（DC/DC）转换器
- 便携式应用的负载开关
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