SI2309DS-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:5.2A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电路保护、低功耗应用、传感器接口和医疗电子等领域。SOT23；P—Channel沟道,-60V；-5.2A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI2309DS-T1-GE3-VB商品编号
C5878834商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.028416克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V |
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