温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
SI9435DY-T1-E3-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI9435DY-T1-E3-VB商品编号
C5878849商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.164444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 33mΩ@10V |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
5+￥1.0022
50+￥0.8702
150+￥0.8137
500+￥0.7431
2500+￥0.7117
4000+￥0.6928￥2771.2
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
2,395
江苏仓
150
购买数量(4000个/圆盘，最小起订量 5 个 )
个
起订量：5 个4000个/圆盘
近期成交4单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
