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SUD50N04-8M8P-E3
1个N沟道 耐压:40V 电流:85A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET 100% Rg和UIS测试。应用：同步整流电源
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SUD50N04-8M8P-E3
- 商品编号
- C5878860
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.408克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 进行100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-同步整流-电源
- SUD50N06-09L-E3-VB
- SUP85N03-3M6P-GE3-VB
- TN0200TS-T1-E3-VB
- UT2302G-AE3-R-VB
- UT8205AG-AG6-R-VB
- UT9435G-TN3-R-VB
- UTT15P06G-TN3-R-VB
- ZXMN4A06GTA-VB
- KPG-1608SYKC-T
- APG1608SURKC/T
- KPT-1608SURC
- KPTD-1608SYCK
- APG1608ZGC
- APTD1608QBC/D
- KPTD-1608QBC-D
- AP1608MGC
- KPH-1608SURCK
- KPHB-1608SURKCGKC-GX
- APG1608QBC/D
- APTR3216ZGC
- APTR3216ZGCK