SIR462DP-T1-GE3-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:60A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要更高漏极电流和低导通电阻的应用场景。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~2V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SIR462DP-T1-GE3-VB

商品编号

C5878850

商品封装

DFN-8(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.383548克(g)