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SI9430DY-T1-E3-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:13A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI9430DY-T1-E3-VB商品编号
C5878848商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.18375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@4.5V |
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