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SI4542DY-T1-E3-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4542DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C5878841
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141975克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@10V；18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF；620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF；57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF；95pF |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- P沟道
- 工作温度达175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
- 有无铅版本
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