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SI6913DQ-T1-GE3-VB
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.2A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应管，采用Trench技术，适合在紧凑空间内应用。TSSOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-5.2A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-32V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI6913DQ-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C5878847
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.083333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V；65mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
~~- 沟槽功率MOSFET
应用领域
- 负载开关
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