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Si2399DS-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
Si2399DS-T1-GE3-VB商品编号
C5878839商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.030808克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V,3A | |
| 功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.4nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 835pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 155pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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