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SI2347DS-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2347DS-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C5878837
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031688克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
~~- 沟槽功率MOSFET-可承受175°C结温-符合RoHS标准-漏极连接至散热片-N沟道MOSFET
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