IRLU110PBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N型功率MOSFET,采用Trench技术,适用于各种低功率功率转换和电源管理应用。TO251;N—Channel沟道,100V;15A;RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLU110PBF-VB
- 商品编号
- C5878826
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.679618克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑适配器开关
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