GS81282Z18GD-333I

GS81282Z18/36是一款144Mbit同步静态SRAM。GSI的NBT SRAM与ZBT、NtRAM、NoBL或其他流水线读取/双延迟写入或直通读取/单延迟写入SRAM一样，通过消除设备从读取周期切换到写入周期时插入取消选择周期的需求，实现了对所有可用总线带宽的利用。由于它是同步设备，地址、数据输入和读写控制输入在输入时钟的上升沿被捕获。突发顺序控制（LBO）必须连接到电源轨以确保正常运行。异步输入包括睡眠模式使能（ZZ）和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制，并随时关闭RAM的输出驱动器。写入周期在内部是自定时的，由时钟输入的上升沿启动。此功能消除了异步SRAM所需的复杂片外写入脉冲生成，并简化了输入信号时序。GS81282Z18/36可由用户配置为在流水线或直通模式下运行。作为流水线同步设备运行时，除了捕获输入信号的上升沿触发寄存器外，该设备还包含一个上升沿触发的输出寄存器。对于读取周期，流水线SRAM输出数据在访问周期内由边沿触发的输出寄存器临时存储，然后在时钟的下一个上升沿释放到输出驱动器。GS81282Z18/36采用GSI的高性能CMOS技术实现，并提供JEDEC标准的119凸点或165凸点BGA封装。

• NBT（无总线 turnaround）功能允许零等待的读写读总线利用率；与流水线和直通NtRAM™、NoBL™和ZBT™ SRAM完全引脚兼容
• 2.5 V或3.3 V ±10%的核心电源
• 2.5 V或3.3 V的I/O电源
• 用户可配置的流水线和直通模式
• ZQ模式引脚，用于用户选择高/低输出驱动
• 符合IEEE 1149.1 JTAG的边界扫描
• LBO引脚，用于线性或交错突发模式
• 与4Mb、9Mb、18Mb、36Mb和72Mb设备引脚兼容
• 字节写入操作（9位字节）
• 3个芯片使能信号，便于深度扩展
• ZZ引脚，用于自动掉电
• 符合RoHS标准的119和165凸点BGA封装