GS8640Z36GT-300I

GS8640Z18/36GT是一款72Mbit同步静态SRAM。GSI的NBT SRAM，如ZBT、NtRAM、NoBL或其他流水线式读/双延迟写或直通式读/单延迟写SRAM，通过消除设备从读周期切换到写周期时插入取消选择周期的需要，允许利用所有可用的总线带宽。由于它是同步设备，地址、数据输入和读/写控制输入在输入时钟的上升沿被捕获。突发顺序控制（LBO）必须连接到电源轨以确保正常运行。异步输入包括睡眠模式使能（ZZ）和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制，并随时关闭RAM的输出驱动器。写周期在内部是自定时的，由时钟输入的上升沿启动。此功能消除了异步SRAM所需的复杂片外写脉冲生成，并简化了输入信号时序。GS8640Z18/36GT可由用户配置为以流水线或直通模式运行。作为流水线同步设备运行时，意味着除了捕获输入信号的上升沿触发寄存器外，该设备还包含一个上升沿触发的输出寄存器。对于读周期，流水线SRAM输出数据在访问周期期间由边沿触发的输出寄存器临时存储，然后在时钟的下一个上升沿释放到输出驱动器。GS8640Z18/36GT采用GSI的高性能CMOS技术实现，并采用JEDEC标准的100引脚TQFP封装。

• NBT（无总线周转）功能允许零等待的读-写-读总线利用率；与流水线式和直通式NtRAM、NoBL和ZBT SRAM完全引脚兼容
• 2.5V或3.3V ±10%的核心电源
• 2.5V或3.3V的I/O电源
• 用户可配置的流水线和直通模式
• 用于线性或交错突发模式的LBO引脚
• 与4Mb、9Mb、18Mb和36Mb设备引脚兼容
• 字节写操作（9位字节）
• 3个芯片使能信号，便于深度扩展
• 用于自动掉电的ZZ引脚
• 符合RoHS标准的100引脚TQFP封装