商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置写抑制功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
GS81302D20/38AGD遵循SigmaQuad-II+ SRAM引脚输出标准，适用于独立I/O同步SRAM。它们是150,994,944位（144Mb）的SRAM，是低功耗、低电压HSTL I/O SRAM系列的一部分，旨在以实现经济高效的高性能网络系统所需的速度运行。
商品特性
- 2.5个时钟延迟
- 同时读写SigmaQuad™接口
- JEDEC标准引脚输出和封装
- 双双倍数据速率接口
- 字节写入控制在数据输入时采样
- 4突发读写
- 数据（D）、字节写入（BW上划线）和时钟（K、K上划线）输入的片上终端（ODT）
- 1.8V ±100mV核心电源
- 1.5V或1.8V HSTL接口
- 流水线读取操作
- 完全连贯的读写流水线
- 用于可编程输出驱动强度的ZQ引脚
- 数据有效引脚（QVLD）支持
- 符合IEEE 1149.1 JTAG的边界扫描
- 符合RoHS标准的165凸点、15mm×17mm、1mm凸点间距BGA封装
应用领域
- 高性能网络系统
- GS81302DT20GE-500I
- GS81302DT38AGD-633I
- GS81302QT37GE-300I
- GS81314LD36GK-133I
- GS816036DGT-333I
- GS8182Q36BGD-300I
- GS8256418GB-400I
- GS8256436GD-200IV
- GS82564Z18GD-250I
- GS82582TT37GE-450I
- GS82583ET36GK-675I
- GS8322Z36AGB-250IV
- GS8342DT20BGD-500I
- GS8342T18BGD-400I
- GS8342T36BGD-400I
- GS864018GT-250I
- GS8640Z36GT-300I
- GS8662Q18BGD-333I
- GS8662T36BGD-400I
- GS880Z36CGT-300I
- GS81302DT20GE-500I
- GS81302DT38AGD-633I
- GS81302QT37GE-300I
- GS81314LD36GK-133I
- GS816036DGT-333I
- GS8182Q36BGD-300I
- SPHWHAHDNE25YZU3D4
- SPHWHAHDNE25YZV3D2
- SN74ALS574BFN
- GX-H12AI-P
- SPHWHAHDNE25YZW2D2
- SN74ALS652A-1D
- GX-H12AI-P-C5
- GX-H15A
- SPHWHAHDNE27YZR3D2
- SN74AS138NS
- GX-H15B-C5
- SPHWHAHDNE27YZT3DC
- SN74AVC16T245GKER
- GX-H15BI-C5
- SPHWHAHDNE27YZV2D2