商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
GS8256418/36 - xxxV是一款具有2位突发地址计数器的301,989,888位高性能同步SRAM。尽管该类型最初是为支持高性能CPU的二级缓存应用而开发的，但现在该器件可应用于同步SRAM应用，范围从DSP主存储到网络芯片组支持。
商品特性
- 具有FT引脚，用于用户可配置的直通或流水线操作
- 单/双周期取消选择可选
- 符合IEEE 1149.1 JTAG标准的边界扫描
- 具有ZQ模式引脚，用于用户选择高/低输出驱动
- 1.8 V ± 10%的核心电源
- 2.5 V ± 10%的核心电源
- 1.8 V或2.5 V的I/O电源
- 具有LBO引脚，用于线性或交错突发模式
- 模式引脚上的内部输入电阻允许模式引脚浮空
- 支持字节写入（BW）和/或全局写入（GW）操作
- 内部自定时写入周期
- 具有ZZ引脚，用于自动掉电
- 符合RoHS标准的119凸点和165凸点BGA封装
应用领域
- DSP主存储
- 网络芯片组支持
- GS82564Z18GD-250I
- GS82582TT37GE-450I
- GS82583ET36GK-675I
- GS8322Z36AGB-250IV
- GS8342DT20BGD-500I
- GS8342T18BGD-400I
- SPHWHAHDNE2VYZT2D2
- SN74HCT245DWE4
- GX-H8A-R
- SPHWHAHDNF25YZT3DB
- SN74LS113ADR
- GX-H8AI
- SPHWHAHDNF27Y3WRT1
- GX-H8B
- SPHWHAHDNF27YZT2D3
- SN74LS19ADB
- GX-M18A-P-Z
- SPHWHAHDNF27YZT2DB
- SN74LS258BNS
- GX-M18B-Z
- SPHWHAHDNF27YZU3D3