GS81314LD36GK-133I
GS81314LD36GK-133I
- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS81314LD36GK-133I
- 商品编号
- C5755785
- 商品封装
- BGA-260(14x22)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
SigmaQuad-IVe ECCRAM是高性能ECCRAM系列SigmaQuad-IVe/SigmaDDR-IVe中独立I/O的一半。尽管与GSI的第三代网络SRAM(SigmaQuad-IIIe/SigmaDDR-IIIe系列)相似,但这些第四代设备提供了几个新特性,有助于显著提高性能。GSI的ECCRAM实现了一种ECC算法,能够检测并纠正所有单比特内存错误,包括由SER事件(如宇宙射线、α粒子等)引起的错误。这些设备的软错误率预计小于0.002 FITs/Mb,比没有片上ECC的同类SRAM(通常SER为200 FITs/Mb或更高)有5个数量级的改进。
商品特性
- 提供4Mb x 36和8Mb x 18组织架构
- 组织为8个逻辑存储体
- 最高工作频率1333 MHz
- 峰值事务率1.333 BT/s(每秒十亿次)
- 峰值数据带宽192 Gb/s(在x36器件中)
- 独立的I/O DDR数据总线
- 非多路复用的SDR地址总线
- 每个时钟周期执行一次操作 - 读或写
- 读和写操作的特定地址/存储体限制
- 4次读和写操作的突发
- 6周期读取延迟
- 片上ECC,具有几乎为零的软错误率
- 环回信号时序训练能力
- 标称核心电压1.25V ~ 1.3V
- HSTL I/O接口电压1.2V ~ 1.3V
- 配置寄存器
- 可配置的片上终端
- 用于可编程驱动器阻抗的ZQ引脚
- 用于可编程ODT阻抗的ZT引脚
- 符合IEEE 1149.1 JTAG标准的边界扫描
- 260引脚,14mm × 22mm,1mm球间距,6/6符合RoHS标准的BGA封装
- GS816036DGT-333I
- GS8182Q36BGD-300I
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- SN74BCT125ADBR
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- SPHWHAHDNE27YZW2D3
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