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GS81314LD36GK-133I引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GS81314LD36GK-133I

GS81314LD36GK-133I

品牌名称
广船国际技术
商品型号
GS81314LD36GK-133I
商品编号
C5755785
商品封装
BGA-260(14x22)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
属性参数值
功能特性内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能

商品概述

SigmaQuad-IVe ECCRAM是高性能ECCRAM系列SigmaQuad-IVe/SigmaDDR-IVe中独立I/O的一半。尽管与GSI的第三代网络SRAM(SigmaQuad-IIIe/SigmaDDR-IIIe系列)相似,但这些第四代设备提供了几个新特性,有助于显著提高性能。GSI的ECCRAM实现了一种ECC算法,能够检测并纠正所有单比特内存错误,包括由SER事件(如宇宙射线、α粒子等)引起的错误。这些设备的软错误率预计小于0.002 FITs/Mb,比没有片上ECC的同类SRAM(通常SER为200 FITs/Mb或更高)有5个数量级的改进。

商品特性

  • 提供4Mb x 36和8Mb x 18组织架构
  • 组织为8个逻辑存储体
  • 最高工作频率1333 MHz
  • 峰值事务率1.333 BT/s(每秒十亿次)
  • 峰值数据带宽192 Gb/s(在x36器件中)
  • 独立的I/O DDR数据总线
  • 非多路复用的SDR地址总线
  • 每个时钟周期执行一次操作 - 读或写
  • 读和写操作的特定地址/存储体限制
  • 4次读和写操作的突发
  • 6周期读取延迟
  • 片上ECC,具有几乎为零的软错误率
  • 环回信号时序训练能力
  • 标称核心电压1.25V ~ 1.3V
  • HSTL I/O接口电压1.2V ~ 1.3V
  • 配置寄存器
  • 可配置的片上终端
  • 用于可编程驱动器阻抗的ZQ引脚
  • 用于可编程ODT阻抗的ZT引脚
  • 符合IEEE 1149.1 JTAG标准的边界扫描
  • 260引脚,14mm × 22mm,1mm球间距,6/6符合RoHS标准的BGA封装

数据手册PDF