GS81314LD36GK-133I

SigmaQuad-IVe ECCRAM是高性能ECCRAM系列SigmaQuad-IVe/SigmaDDR-IVe中独立I/O的一半。尽管与GSI的第三代网络SRAM（SigmaQuad-IIIe/SigmaDDR-IIIe系列）相似，但这些第四代设备提供了几个新特性，有助于显著提高性能。GSI的ECCRAM实现了一种ECC算法，能够检测并纠正所有单比特内存错误，包括由SER事件（如宇宙射线、α粒子等）引起的错误。这些设备的软错误率预计小于0.002 FITs/Mb，比没有片上ECC的同类SRAM（通常SER为200 FITs/Mb或更高）有5个数量级的改进。

• 提供4Mb x 36和8Mb x 18的组织形式
• 组织为8个逻辑存储体
• 最高工作频率1333 MHz
• 峰值事务速率1.333 BT/s（每秒数十亿次）
• （x36设备）峰值数据带宽192 Gb/s
• 独立I/O DDR数据总线
• 非复用SDR地址总线
• 每个时钟周期进行一次操作 - 读或写
• 读和写操作有特定的地址/存储体限制
• 4次突发读和写操作
• 6个周期的读延迟
• 片上ECC，软错误率几乎为零
• 具有回环信号时序训练能力
• 标称核心电压1.25 V ~ 1.3 V
• HSTL I/O接口电压1.2 V ~ 1.3 V
• 配置寄存器
• 可配置ODT（片内终端）
• 用于可编程驱动器阻抗的ZQ引脚
• 用于可编程ODT阻抗的ZT引脚
• 符合IEEE 1149.1 JTAG标准的边界扫描
• 260引脚，14 mm × 22 mm，1 mm球间距，6/6符合RoHS标准的BGA封装