SI4420BDY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:9.5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4420BDY-T1-GE3
- 商品编号
- C5753868
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 太阳能逆变器
- 开关模式电源、不间断电源（UPS）
- 感应加热与焊接
- 电动汽车充电站
- 高压DC/DC转换器
- 电机驱动器
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