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SIHD14N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
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- 描述
- 特性：N沟道MOSFET。 低品质因数 (FOM) Rₒₙ × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Qg)。 雪崩能量额定 (UIS)。应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD14N60E-GE3
- 商品编号
- C5753908
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 309mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.205nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
优惠活动
购买数量
(75个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个75个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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