SIC639ACD-T1-GE3

SiC639是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC639采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术具有行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗。 SiC639集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有大电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管、热警告（THWn，可在结温过高时向系统发出警报）以及零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，并支持三态PWM、3.3 V和5 V PWM逻辑。

• 热增强型PowerPAK MLP55-31 L封装
• 威世第四代MOSFET技术和集成肖特基二极管的低端MOSFET
• 可提供高达50 A的连续电流
• 高效性能
• 高达1.5 MHz的高频运行
• 针对19 V输入级优化的功率MOSFET
• 具备三态和关断功能的3.3 V、5 V PWM逻辑
• 用于提高轻载效率的零电流检测控制
• 低PWM传播延迟（< 20 ns）
• 更快的关断速度
• 热监测标志
• VCIN欠压锁定

• 用于计算、显卡和内存的多相VRD
• 英特尔IMVP - 8/9 VR电源输送 - 酷睿（Skylake）、咖啡湖（Kabylake）平台的VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT - 阿波罗湖（Apollo Lake）平台的VCCGI
• 高达24 V轨输入的DC/DC VR模块