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SIHB22N60ET1-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:21A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB22N60ET1-GE3
- 商品编号
- C5753904
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能 (光伏逆变器)
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