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SIDR626EP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:50.8A 227A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行调整。 100%进行Rg和UIS测试。 顶部散热功能提供了额外的热传递途径。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR626EP-T1-RE3
- 商品编号
- C5753898
- 商品封装
- PowerPAKSO-8DC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50.8A；227A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.74mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W；150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.13nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.19nF |
商品特性
- 优化设计
- 低面积比导通电阻
- 低输入电容（Ciss）
- 降低电容开关损耗
- 高体二极管耐用性
- 雪崩能量额定值（UIS）
- 最佳效率和运行性能
- 低成本
- 简单的栅极驱动电路
- 低品质因数（FOM）：Ron × Qg
- 快速开关
应用领域
- 消费电子
- 显示器（LCD 或等离子电视）
- 服务器和电信电源
- 开关电源（SMPS）
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
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