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SIDR626EP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:50.8A 227A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行调整。 100%进行Rg和UIS测试。 顶部散热功能提供了额外的热传递途径。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR626EP-T1-RE3
- 商品编号
- C5753898
- 商品封装
- PowerPAKSO-8DC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50.8A；227A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.74mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W；150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.19nF |
商品特性
- 第四代沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- 极低的导通电阻-栅极电荷品质因数(FOM)
- 针对最低的导通电阻-输出电容品质因数进行调谐
- 经过100%反向恢复和非钳位感性开关测试
- 顶部散热特性为热传递提供额外途径
应用领域
- 同步整流
- 原边开关
- DC/DC转换器
- 太阳能微型逆变器
- 电机驱动开关
- 电池和负载开关
- 工业应用
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