SI2342DS-T1-BE3
1个N沟道 耐压:8V 电流:6A 电流:6A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2342DS-T1-BE3
- 商品编号
- C5753830
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V,7.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.3W；2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 国际标准封装
- 低栅极电荷（QG）
- 雪崩额定值
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流-直流转换器
- 功率因数校正（PFC）电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人和伺服控制
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