AON2392
1个N沟道 耐压:100V 电流:8A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON2392
- 商品编号
- C5563953
- 商品封装
- DFN-8(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于2500 MHz至2700 MHz频率基站应用的150W LDMOS功率晶体管，具备改进的视频带宽。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 去耦功能可改善视频带宽（典型值60 MHz）
- 更低的输出电容，提升Doherty应用性能
- 低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 鸥翼型优化设计
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
-家庭自动化与物联网-VOIP应用