商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A；13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.1W；36.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AOT2606L、AOB2606L和AOTF2606L采用了沟槽式MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)、输入电容Ciss和输出电容Coss组合,该器件的导通和开关功率损耗均降至最低。此器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光源等领域的升压转换器和同步整流器。
- AOTF27S60L
- AOTF42S60L
- AOW11S60
- AOW12N65
- AOW482
- 803-93-068-20-001000
- BWCM001207078N2H00
- 803-93-078-10-001000
- BWCM001207078N2J00
- 803-93-080-20-001000
- BWCM0016100811NG00
- AOW-4544P-C3310-B-R
- 803-93-082-10-001000
- BWCM0016100843NG00
- AOW-6540L-R
- 803-93-086-20-001000
- BWCM0016100843NJ00
- 803-93-090-30-001000
- BWCM0016100872NG00
- 803-93-092-10-001000
- BWCM0016100882NJ00