商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 720mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.792nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
AOW12N65和AOWF12N65采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低RDS(ON)、Ciss和Crss,并具备有保证的雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- AOW482
- AOW7S60
- AOWF412
- 803-93-092-10-001000
- BWCM0016100882NJ00
- 803-93-094-20-001000
- BWCM00161008R15G00
- 803-93-096-61-001000
- BWCM00161008R22G00
- 803-93-096-62-001000
- BWCM0018101022NJL8
- AOZ1269AQI
- BWCM0018101024NJL8
- 803-93-098-20-001000
- AOZ2254TQI-20
- BWCM0018101028NGL8
- 803-99-002-61-001000
- AOZ2262BQI-10
- BWCM0018101036NJL8
- 803-99-006-62-001000
- AP-MMF-CCWWG-Q-SMA-RP34-BL