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AOW7S60

1个N沟道耐压:600V 电流:7A

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商品参数

AOW7S60和AOWF7S60采用先进的αMOS高压工艺制造,该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(Qg)和低输出电容(EOSS),并具备有保证的雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线式电源设计中。

在频率为1.2 GHz至1.4 GHz、电源电压为50 V、静态漏极电流（IDq）为100 mA、脉冲宽度（tp）为300 μs、占空比（δ）为10%的条件下，典型脉冲射频性能如下：
- 输出功率 = 250 W
- 功率增益 = 17 dB
- 效率 = 55 %
易于进行功率控制
集成静电放电（ESD）保护
脉冲格式灵活性高
坚固耐用性出色
效率高
热稳定性优异
专为宽带工作（1.2 GHz至1.4 GHz）而设计
内部匹配，使用方便
符合《关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）2002/95/EC