AOWF412
1个N沟道 耐压:100V 电流:7.8A 电流:30A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOWF412
- 商品编号
- C5564038
- 商品封装
- TO-262F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AOWF412采用SDMOS沟槽技术制造,该技术将出色的RDS(ON)与低栅极电荷和低 Qrr 相结合。其结果是在可控开关行为下实现卓越的效率。这种通用技术非常适合PWM、负载开关和通用应用。
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