温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 152A；11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.1W；375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.46nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 表面贴装封装为TO263
- RθJA值是在器件安装在1平方英寸、2盎司铜的FR - 4板上，静止空气环境（TA = 25°C）下测量得到。功率耗散PDSM基于RθJA和150°C的最大允许结温。在任何给定应用中的值取决于用户的具体电路板设计，若PCB允许，可使用175°C的最高温度
- 功率耗散PD基于TJ(MAX) = 175°C，使用结到壳的热阻，在使用额外散热片的情况下，对于设置上限耗散限制更有用
- 重复额定值，脉冲宽度受结温TJ(MAX) = 175°C限制。额定值基于低频和占空比，以保持初始TJ = 25°C
- RθJA是结到壳热阻RθJC和壳到环境热阻之和
- 图1至6中的静态特性是使用小于300微秒的脉冲、最大占空比0.5%获得的
- 这些曲线基于结到壳的热阻抗，该热阻抗是在器件安装到大型散热片上测量得到，假设最大结温TJ(MAX) = 175°C。SOA曲线提供单脉冲额定值
- 最大电流受封装限制
- 这些测试是在器件安装在1平方英寸、2盎司铜的FR - 4板上，静止空气环境（TA = 25°C）下进行的