AONS36314
1个N沟道 耐压:30V 电流:36.5A 电流:85A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AONS36314
- 商品编号
- C5563972
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A；36.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 42W；6.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
适用于3.1 GHz至3.5 GHz频段雷达应用的350 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 易于功率控制
- 集成ESD保护
- 脉冲格式灵活性高
- 卓越的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计（3.1 GHz至3.5 GHz）
- 内部匹配，使用方便
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
适用于3.1 GHz至3.5 GHz频段雷达应用的S波段功率放大器