AON6794
1个N沟道 耐压:30V 电流:85A 电流:39A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6794
- 商品编号
- C5563962
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
适用于基站应用的180 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2496 MHz至2690 MHz。
商品特性
- 高效率
- 出色的耐用性
- 专为宽带运行设计
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 集成ESD保护
- 专为低记忆效应设计，提供出色的预失真能力
- 较低的输出电容，可提高Doherty应用的性能
- 非对称设计，可在整个频段实现最佳效率
- 去耦引脚可改善视频带宽
- 内部匹配，使用方便（输入和输出）
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 适用于2496 MHz至2690 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用的射频功率放大器