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FDS4936-NL-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.8A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于中功率功率控制和开关应用，中功率电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDS4936-NL-VB商品编号
C5456497商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A |
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