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FDS6670AS-NL-VB
1个N沟道 电流:13A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDS6670AS-NL-VB
- 商品编号
- C5456498
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤素
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 100%进行非钳位感应开关（UIS）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关、适配器开关-笔记本电脑
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