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IPP052N06L3 G-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP052N06L3 G-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:210A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N沟道场效应管,采用Trench工艺制造,适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220;N—Channel沟道,60V;210A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~3.5V;
商品型号
IPP052N06L3 G-VB
商品编号
C5456502
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
3.096克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)210A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)180nC@10V
输入电容(Ciss)9.3nF@25V
反向传输电容(Crss)750pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1nF

商品特性

  • 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
  • 沟槽功率MOSFET
  • 针对“低端”同步整流器操作进行优化
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 提供符合RoHS标准的无卤产品

应用领域

  • 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器

数据手册PDF