温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG6602SVT-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMG6602SVT-VB
- 商品编号
- C5456493
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.051克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A；3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA；800mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 低阈值：2 V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
相似推荐
其他推荐
- DMP3010LPS-13-VB
- FDD3682-NL-VB
- FDS4450-NL-VB
- FDS4936-NL-VB
- FDS6670AS-NL-VB
- FDS6699S-NL-VB
- GTT8205S-A-VB
- IPP048N06LG-VB
- IPP052N06L3 G-VB
- IRF7204TRPBF-VB
- IRF7241TRPBF-VB
- IRF7317TRPBF-VB
- IRF7379TRPBF-VB
- IRF7455TRPBF-VB
- IRF7463TRPBF-VB
- IRF7475TRPBF-VB
- IRF830PBF-VB
- IRFP140NPBF-VB
- IRFR13N15DTRPBF-VB
- IRFR15N20DTRPBF-VB
- IRFR2307ZTRPBF-VB