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DMP3010LPS-13-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

DMP3010LPS-13-VB

1个P沟道 耐压:30V 电流:120A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
DMP3010LPS-13-VB
商品编号
C5456494
商品封装
DFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.151克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@10V；6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)130nC@10V
输入电容(Ciss)7.05nF
反向传输电容(Crss)1.215nF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)1.375nF

数据手册PDF

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