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AP9575GJ-HF-VB

1个P沟道耐压:60V 电流:20A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于电源管理、电动车辆、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO251；；N—Channel沟道,-60V；-20A；RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: AP9575GJ-HF-VB
商品编号: C5456482
商品封装: TO-251
包装方式: 管装
商品毛重: 1.1克(g)

商品参数

GSW77N65E是一款低压N沟道多外延层超结功率MOSFET样品，采用先进技术，具备更优特性，如快速开关时间、低输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）、低导通电阻和出色的雪崩特性。