AP9579GP-HF-VB
1个P沟道 耐压:60V
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于直流-直流转换器、功率因数校正模块等领域。TO220;P—Channel沟道,-60V;-50A;RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP9579GP-HF-VB
- 商品编号
- C5456483
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.932克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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