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DMG2301U-7-VB

1个P沟道耐压:20V 电流:4A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: DMG2301U-7-VB
商品编号: C5456491
商品封装: SOT-23(TO-236)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.062克(g)

商品参数

XCH7N65F是一款采用自对准平面技术的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。